Артур Скальский

© Babr24.com

КомпьютерыМир

2853

01.02.2007, 16:00

45-нанометровая производственная технология Intel кардинально улучшает параметры транзисторов

С момента изобретения первого транзистора (1947 год) быстрое развитие технологий подготавливало почву для создания более совершенных и производительных, и в то же время экономичных и энергосберегающих устройств.

Несмотря на успехи в этой области, рост выделения тепла и электрические токи утечки оставались важнейшим препятствием на пути уменьшения размеров транзисторов и следования закону Мура. Поэтому нет ничего удивительного в том, что некоторым материалам, применявшимся на протяжении последних 40 лет в производстве транзисторов, потребовалась замена.

Для создания своих 45-нанометровых (нм) транзисторов корпорация Intel применила передовые материалы, сочетание которых позволяет добиться очень низких токов утечки и рекордно высокой производительности. Создав на базе новой 45-нанометровой производственной технологии первые работоспособные образцы пяти процессоров с кодовым названием Penryn (новое поколение процессоров семейств Intel® Core™ 2 и Intel® Xeon®), корпорация Intel смогла успешно преодолеть сложные барьеры, в очередной раз подтвердив справедливость закона Мура. Тем самым устранены многие преграды на пути дальнейшего развития микроэлектроники, что обеспечит возможности для разработки и выпуска энергосберегающих, экономичных, высокопроизводительных компонентов (процессоров и др.) для различных устройств: от ноутбуков и мобильных устройств до настольных ПК и серверов. Как и было запланировано ранее, корпорация Intel намерена начать массовый выпуск продукции на основе 45-нанометровой производственной технологии во второй половине текущего года.

В 60-ю годовщину появления первого транзистора уместно оглянуться назад, вспомнить историю микроэлектроники и важнейшие вехи на пути создания инновационной 45-нанометровой полупроводниковой технологии Intel, которая обеспечит выполнение закона Мура и его актуальность и в следующем десятилетии.

• 16 декабря 1947 г.: Уильям Шокли (William Shockley), Джон Бардин (John Bardeen) и Уолтер Браттейн (Walter Brattain) из Bell Labs создали первый транзистор.

• 1950 г.: Уильям Шокли разработал биполярный планарный транзистор, сегодня это устройство обычно называют просто транзистором.

• 1953 г.: выпущено на рынок первое коммерческое устройство на базе транзистора – слуховой аппарат.

• 18 октября 1954 г.: на рынке появился первый транзисторный радиоприемник (Regency TR1), в нем использовалось всего четыре германиевых транзистора.

• 25 апреля 1961 г.: выдан первый патент на интегральную схему; его получил Роберт Нойс (Robert Noyce), впоследствии ставший одним из основателей корпорации Intel. Первые транзисторы можно было использовать в радиоприемниках и телефонах, однако новым электронным устройствам требовалось нечто более компактное – интегральные схемы.

• 1965 г.: провозглашен закон Мура – Гордон Мур (Gordon Moore), также один из основателей корпорации Intel, в статье, опубликованной в журнале Electronics Magazine, предсказал, что в будущем число транзисторов на одной микросхеме будет удваиваться примерно каждый год (десять лет спустя прогноз был скорректирован на каждые два года).

• Июль 1968 г.: Роберт Нойс и Гордон Мур уволились из компании Fairchild Semiconductor и основали новую корпорацию, получившую название Intel (сокращение от «integrated electronics» – микроэлектроника).

• 1969 г.: Intel создала первую успешную транзисторную технологию на базе кремниевого затвора – PMOS. В транзисторах по-прежнему использовался затвор с диэлектриком из традиционного диоксида кремния (SiO2), однако появились новые управляющие электроды из поликристаллического кремния.

• 1971 г.: Intel выпустила свой первый микропроцессор – 4004. Микропроцессор 4004 имел размеры 1/8 дюйма на 1/16 дюйма (3,18х1,59 мм), содержал лишь немногим больше 2000 транзисторов и выпускался по 10-микронной производственной PMOS-технологии Intel.

• 1978 г.: 16-разрядный процессор 8088, содержавший 29000 транзисторов, работал с тактовыми частотами 5, 8 или 10 МГц. Важнейшее торговое соглашение с новым подразделением корпорации IBM, разрабатывавшим персональный компьютер, позже (в 1981 г.) сделало микропроцессор Intel 8088 «мозгом» нового хита на рынке – IBM PC. Успех микропроцессора 8088 позволил Intel войти в престижный рейтинг Fortune 500, а журнал Fortune назвал Intel одним из «бизнес-триумфаторов семидесятых годов».

• 1982 г.: создан микропроцессор 286, известный также как 80286, – 16-разрядный процессор Intel, который был способен выполнять программы, написанные для его предшественника. 286-й процессор содержал 134000 транзисторов, его тактовые частоты составляли 6, 8, 10 и 12,5 МГц.

• 1985 г.: выпущен микропроцессор Intel386™, в котором содержалось 275000 транзисторов – это более чем в 100 раз превосходило число транзисторов в первом микропроцессоре 4004. Он представлял собой 32-разрядную микросхему и поддерживал многозадачность, т. е. был способен выполнять несколько программ одновременно.

• 1993 г.: выпущен процессор Intel® Pentium®, насчитывавший 3 миллиона транзисторов и изготовленный по 0,8-микронной производственной технологии Intel.

• Февраль 1999г.: Intel выпустила в продажу процессор Pentium® III – кремниевый кристалл, содержавший более 9,5 миллионов транзисторов и изготовленный по 0,18-микронной производственной технологии Intel.

• Январь 2002 г.: представлена новейшая версия процессора Intel® Pentium® 4 c тактовой частотой 2,2 ГГц, предназначенная для высокопроизводительных настольных ПК. Процессор выпускался по 0,13-микронной производственной технологии и содержал 55 миллионов транзисторов.

• 13 августа 2002 г.: Intel представила несколько технологических инноваций, вошедших в состав новой 90-нанометровой производственной технологии, среди которых были более производительные транзисторы с пониженным энергопотреблением, технология напряженного кремния, высокоскоростные медные межсоединения и новый диэлектрический материал low-k. Это был первый в отрасли пример применения технологии напряженного кремния при производстве процессоров.

• 12 марта 2003 г.: дата рождения революционной технологии Intel® Centrino® для мобильных ПК; в ее состав была включена новейшая версия процессора Intel для мобильных ПК – Intel® Pentium® M. Этот процессор, созданный на базе новой микроархитектуры, специально оптимизированной для мобильных ПК, выпускался по 0,13-микронной производственной технологии Intel и состоял из 77 миллионов транзисторов.

• 26 мая 2005 г.: дебютировал первый массовый двухъядерный процессор Intel – Intel® Pentium® D, содержавший 230 миллионов транзисторов и выпускавшийся по самой передовой на то время 90-нанометровой производственной технологии Intel.

• 18 июля 2006 г.: начался выпуск двухъядерного процессора Intel® Itanium® 2, имеющего по сей день самую сложную в мире структуру и содержащего более 1,72 миллиарда транзисторов. Этот процессор выпускается по 90-нанометровой производственной технологии Intel.

• 27 июля 2006 г.: дебют нового двухъядерного процессора Intel® Core™ 2 Duo – процессора, опередившего время. Этот процессор, содержащий более 290 миллионов транзисторов, создавался в нескольких передовых лабораториях мира на основе революционной микроархитектуры Intel® Core™ с использованием 65-нанометровой производственной технологии.

• 26 сентября 2006 г.: Intel анонсировала, что в разработке находятся более 15 видов продукции на основе новой 45-нанометровой производственной технологии, включая семейство с кодовым названием Penryn (эволюционный шаг в развитии микроархитетуры Intel Core), предназначенной для сегментов рынка настольных, мобильных и корпоративных систем.

• 8 января 2007 г.: расширяя доступность четырехъядерных процессоров на сегмент массовых ПК, Intel начала продажи своего процессора Intel® Core™ 2 Quad для настольных ПК, изготовленного по 65-нанометровой производственной технологии, а также выпустила еще два четырехъядерных серверных процессора семейства Intel Xeon. Процессор Intel Core 2 Quad содержит более 580 миллионов транзисторов.

• 27 января 2007 г.: Intel опубликовала данные о начале использования двух новых материалов для создания транзисторов (high-k и metal gate), которые будут применяться для изоляционных стенок и логических затворов в сотнях миллионов микроскопических 45-нанометровых транзисторов (или переключателей) в составе многоядерных процессоров нового поколения семейств Intel Core 2 Duo, Intel Core 2 Quad и Intel Xeon (кодовое наименование Penryn). На базе этих передовых 45-нанометровых транзисторов уже изготовлены первые работоспособные образцы пяти будущих процессоров.

Артур Скальский

© Babr24.com

КомпьютерыМир

2853

01.02.2007, 16:00

URL: https://babr24.com/?ADE=35691

Bytes: 8512 / 8512

Версия для печати

Скачать PDF

Поделиться в соцсетях:

Также читайте эксклюзивную информацию в соцсетях:
- Телеграм
- ВКонтакте

Связаться с редакцией Бабра:
newsbabr@gmail.com

Последние новости

01.07 07:54
В двух округах Иркутска на день отключат горячую воду

01.07 07:27
В Томске директора трёх фирм подозревают в мошенничестве на 5,5 миллиона

01.07 06:04
Легковушка врезалась в фуру и загорелась на трассе в Красноярском крае. Погибли три человека

30.06 22:40
В Улан-Удэ осудят экс-чиновника, обвиняемого в получении взятки на 1,3 миллиона

30.06 20:55
Капремонт детсада «Ая-Ганга» в Улан-Удэ завершен на 60%

30.06 19:56
Руководители «Церкви Последнего Завета» получили от 11 до 12 лет колонии

30.06 19:37
Власти Красноярска выкупают землю на улице Гросовцев. Ранее красноярцы за свои деньги отсыпали здесь дорогу

30.06 19:36
Мэрия ищет проектировщика подсветки почти сотни фасадов за 36 миллионов рублей

30.06 19:35
На красноярских «Столбах» завершают обустройство восьмикилометровой туристической тропы

30.06 18:55
Прокуратура требует аннулировать аренду земли под угольный порт на Таймыре

Лица Сибири

Ведерников Александр

Гаврикова Инга

Алексеева Эмма

Базархандаев Амгалан

Кириленко Александр

Хрупин Сергей

Савин Олег

Самарский Борис

Боровиков Алексей

Семенов Вадим